SI8235AB-C-IS1R

SI8235AB-C-IS1R 절연 게이트 드라이버는 전력 전자 장치 및 산업용 애플리케이션용으로 설계된 고성능 솔루션입니다. 주요 특징으로는 이중 절연 드라이버, 고속 및 하이/로우 측 옵션, 탁월한 전자기 내성, 유연한 입력 선택, 과도 내성, 과부하 보호, 자동차용 AEC-Q100 인증, 넓은 작동 온도 범위 및 RoHS- 호환 패키지. 이러한 기능을 갖춘 SI8235AB-C-IS1R은 까다로운 환경에서 정확하고 견고한 게이트 구동 요구 사항을 충족하는 안정적이고 다양한 솔루션을 제공합니다.

·전력 전달 시스템

·모터 제어 시스템

·절연형 DC-DC 전원 공급 장치

·조명제어 시스템

·플라즈마 디스플레이

·태양광 및 산업용 인버터

Si823x 절연 드라이버 제품군은 두 개의 독립적인 절연 드라이버를 단일 패키지로 결합합니다. Si8230/1/3/4는 하이 측/로우 측 드라이버이고 Si8232/5/6/7/8은 듀얼 드라이버입니다. 피크 출력 전류가 0.5A(Si8230/1/2/7) 및 4.0A(Si8233/4/5/6/8)인 버전을 사용할 수 있습니다. 모든 드라이버는 최대 24V의 공급 전압으로 작동합니다.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >개별 제어 입력(Si8230/2/3/5/6/7/8) 또는 PWM 입력(Si8231/4) 구성에서 400mV 히스테리시스를 사용할 수 있습니다. 높은 통합성, 낮은 전파 지연, 작은 설치 크기, 유연성 및 비용 효율성 덕분에 Si823x 제품군은 광범위한 절연 MOSFET/IGBT 게이트 드라이브 애플리케이션에 이상적입니다.

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