NCD57256DR2G

NCD57256DR2G는 향상된 적응성을 위해 이중 로우 측, 이중 하이 측 또는 하프 브리지 드라이버로 구성할 수 있습니다. 오버랩 및 데드타임 제어를 포함한 프로그래밍 가능한 제어 옵션을 통해 정밀한 스위칭 작동이 가능합니다. 이 장치에는 전원 공급 장치 시퀀싱을 위한 비활성화 핀과 하프 브리지 구성을 단순화하는 ANB 기능도 포함되어 있습니다. IGBT/MOSFET 게이트 클램핑과 단락 시 엄격한 UVLO 임계값을 통해 안전을 최우선으로 생각합니다. 탁월한 2.5 또는 5kVrms 갈바닉 절연은 고전압 애플리케이션에서 강력한 성능을 보장합니다. 또한 자동차 애플리케이션에 이상적으로 적합하고 AEC-Q100을 준수하며 PPAP 기능을 갖추고 있습니다. 마지막으로, 무연, 무할로겐/브롬화 난연제 및 RoHS 준수 장치로서 환경을 준수하는 장치는 환경 친화적인 선택입니다. 요약하면, NCD57256DR2G 게이트 드라이버는 다양한 애플리케이션에 탁월한 다양성, 성능 및 안전성을 제공합니다.

• EV 충전기

• 모터 제어

• 무정전 전원 공급 장치(UPS)

• 산업용 전원 공급 장치

• 태양광 인버터

• 자동차 애플리케이션

NCx5725y는 입력에서 각 출력까지 2.5 또는 5 kVrms* 내부 갈바닉 절연과 두 출력 채널 간의 기능 절연을 갖춘 고전류 2채널 절연 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버입니다. 이 장치는 입력 측에서 3.3V ~ 20V 바이어스 전압 및 신호 레벨을 수용하고 출력 측에서 최대 32V 바이어스 전압을 수용합니다. 이 장치는 보완 입력을 수용하고 시스템 설계 편의를 위해 비활성화 및 데드 타임 제어를 위한 별도의 핀을 제공합니다. 드라이버는 넓은 본체 SOIC−16 및 좁은 본체 SOIC−16 패키지로 제공됩니다.

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