
TLP352(에프)
설명
기술적인 매개 변수
TLP352(F) 광커플러 게이트 드라이버는 다양한 애플리케이션에서 효율적이고 안정적인 신호 전송을 위해 설계된 고성능 장치입니다. 토템 폴 출력 구성을 통해 ±2.5A의 피크 출력 전류를 제공하여 전력 트랜지스터 및 고전류 애플리케이션에 대한 강력한 성능을 보장합니다. -40 ~ 125도의 넓은 온도 범위에서 작동하는 이 광커플러는 극한 조건에서도 안정성을 유지합니다. 3.0 mA의 낮은 공급 전류와 15~30V의 공급 전압 범위가 결합되어 에너지 효율성과 다양한 전원 공급 장치 구성에 대한 적응성에 기여합니다. 장치의 임계값 입력 전류 5mA, 빠른 전파 지연 시간 200ns, ±20kV/μs의 강력한 공통 모드 과도 내성은 타이밍에 민감하고 잡음이 많은 환경에서 신뢰성을 향상시킵니다. 또한 TLP352(F)는 3750Vrms의 절연 전압을 통해 높은 수준의 안전성과 전압 스파이크에 대한 보호를 보장합니다.

관련 상품:
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제조업체 부품 |
TLP352(D4,F) |
TLP352(에프) |
TLP352(LF1,F) |
TLP352F(D4,F) |
TLP352F(D4-TP4,F) |
TLP352F(TP4,F) |
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설명 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
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재고 |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
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제품상태 |
활동적인 |
활동적인 |
활동적인 |
활동적인 |
활동적인 |
활동적인 |
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기술 |
광커플링 |
광커플링 |
광커플링 |
광커플링 |
광커플링 |
광커플링 |
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채널 수 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
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전압 - 절연 |
3,750Vrms |
3,750Vrms |
3750Vrms |
3,750Vrms |
3750Vrms |
3,750Vrms |
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공통 모드 과도 내성(최소) |
20kV/us |
20kV/us |
20kV/us |
20kV/us |
20kV/us |
20kV/us |
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전파 지연 tpLH/tpHL(최대) |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
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펄스 폭 왜곡(최대) |
50나노초 |
50나노초 |
50나노초 |
50나노초 |
50ns |
50나노초 |
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전류 - 출력 높음, 낮음 |
2A, 2A |
2A, 2A |
2A, 2A |
2A, 2A |
2A, 2A |
2A, 2A |
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전류 - 피크 출력 |
2A |
2A |
2A |
2A |
2A |
2A |
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전압 - 순방향(Vf)(일반) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
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전류 - DC 순방향(If)(최대) |
20mA |
20mA |
20mA |
20mA |
20mA |
20mA |
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전압 - 출력 공급 |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
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작동 온도 |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
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패키지/케이스 |
딥8(7.62mm) |
딥8(7.62mm) |
SMD8 (7.62 밀리미터) |
DIP8 (7.62x10.16) |
SMD8(7.62x10.16) |
SMD8(7.62x10.16) |
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패키지 |
튜브 |
튜브 |
테이프 및 릴(TR) |
튜브 |
테이프 및 릴(TR) |
테이프 및 릴(TR) |
신청:
• 산업용 인버터
• MOSFET 게이트 드라이버
• IGBT 게이트 드라이버
• 인덕션 쿡탑 및 가전제품
일반적인:
TLP352는 통합 고이득, 고속 광검출기 IC 칩에 광학적으로 결합된 GaA ℓAs 적외선 발광 다이오드(LED)로 구성된 DIP8 패키지의 포토커플러입니다. 이는 최대 125 의 온도에서 성능과 사양을 보장합니다. TLP352에는 ±20kV/μs의 공통 모드 과도 내성을 보장하는 내부 패러데이 차폐가 있습니다. 전류를 싱크하고 소스할 수 있는 토템폴 출력이 있습니다. TLP352는 IGBT 및 전력 MOSFET 게이트 드라이브에 이상적입니다.
인기 탭: tlp352(f), 중국 tlp352(f) 제조업체, 공급업체
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