ACPL-P349-500E
설명
기술적인 매개 변수
ACPL-P349-500E 광커플러 게이트 드라이버는 까다로운 전력 전자 애플리케이션에 맞게 맞춤화된 고성능 솔루션입니다. 주목할만한 기능으로는 강력한 2.5-최대 피크 출력 전류, 15V~30V의 넓은 작동 VCC 범위, 최대 110ns 및 긴밀한 50-ns 차이를 갖춘 매우 빠른 전파 지연이 있습니다. 이 장치는 레일-투-레일 출력 전압 기능으로 다양성을 보장하고 잡음 내성 작동이 뛰어나 VCM=1500V에서 100kV/μs의 최소 공통 모드 제거(CMR)를 제공합니다. 추가 이점으로는 안정적인 LED 성능을 위한 히스테리시스가 있는 LED 전류 입력, 4.2mA의 낮은 공급 전류(ICC), UVLO(저전압 차단) 보호, -40도에서 105도까지의 산업 온도 범위에 걸친 신뢰성 등이 있습니다. .
관련 상품:
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제조업체 부품 |
ACPL-P349-000E |
ACPL-P349-060E |
ACPL-P349-500E |
ACPL-P349-560E |
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설명 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
OPTOISO IGBT MOSFET 드라이버 |
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재고 |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
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제품상태 |
활동적인 |
활동적인 |
활동적인 |
활동적인 |
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기술 |
광커플링 |
광커플링 |
광커플링 |
광커플링 |
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채널 수 |
1 |
1 |
1 |
1 |
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전압 - 절연 |
3750Vrms |
3750Vrms |
3750Vrms |
3750Vrms |
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공통 모드 과도 내성(최소) |
50kV/us |
50kV/us |
50kV/us |
50kV/us |
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전파 지연 tpLH/tpHL(최대) |
110ns,110ns |
110ns,110ns |
110ns,110ns |
110ns,110ns |
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펄스 폭 왜곡(최대) |
40ns |
40ns |
40ns |
40ns |
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전류 - 출력 높음, 낮음 |
2A,2A |
2A,2A |
2A,2A |
2A,2A |
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전류 - 피크 출력 |
2A |
2A |
2A |
2A |
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전압 - 순방향(Vf)(일반) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
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전류 - DC 순방향(If)(최대) |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
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전압 - 출력 공급 |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
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작동 온도 |
-40-C ~ 105-C |
-40-C ~ 105-C |
-40-C ~ 105-C |
-40-C ~ 105-C |
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패키지/케이스 |
SDIP6(6.8x1.27) |
SDIP6(6.8x1.27) |
SDIP6(6.8x1.27) |
SDIP6(6.8x1.27) |
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패키지 |
테이프 및 릴(TR) |
테이프 및 릴(TR) |
테이프 및 릴(TR) |
테이프 및 릴(TR) |
신청:
•SiC/GaN MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이브
•모터 드라이브
•산업용 인버터
•신재생에너지 인버터
•전원 공급 장치 전환
설명:
Broadcom® ACPL-P349/W349에는 전력 출력단이 있는 집적 회로에 광학적으로 결합된 AlGaAs LED가 포함되어 있습니다. 이 광커플러는 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 SiC/GaN(탄화규소/질화갈륨) MOSFET 및 IGBT를 구동하는 데 매우 적합합니다. 출력단의 높은 작동 전압 범위는 게이트 제어 장치에 필요한 구동 전압을 제공합니다. 이 광커플러가 제공하는 전압 및 높은 피크 출력 전류는 최대 1200V/100A 정격의 SiC/GaN MOSFET 및 IGBT를 직접 구동하는 데 이상적으로 적합합니다.
주의!
ESD로 인해 발생할 수 있는 손상 및/또는 성능 저하를 방지하려면 이 구성 요소를 취급하고 조립할 때 일반적인 정전기 예방 조치를 취하는 것이 좋습니다. 이 데이터 시트에 포함된 구성 요소는 군사 또는 항공우주 응용 분야 또는 환경에서 사용되지 않습니다.
인기 탭: acpl-p349-500e, 중국 acpl-p349-500e 제조업체, 공급업체
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