SI823H6AB-IS1R

SI823H6AB-IS1R

이 게이트 드라이버는 PWM과 듀얼 드라이버의 두 가지 버전으로 제공됩니다. PWM 버전은 펄스 폭 변조 제어에 이상적인 반면, 듀얼 드라이버 버전은 다중 게이트의 효율적인 관리를 가능하게 합니다. 이러한 다양성으로 인해 SI823H6AB-IS1R은 광범위한 응용 분야에 적합합니다.
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설명

기술적인 매개 변수

The SI823H6AB-IS1R is a versatile and high-performance isolated gate driver that offers exceptional isolation with up to 5 kVRMS, up to 1500 VDC peak driver-to-driver differential voltage, and a broad temperature range of -40 to +125 °C. It comes in single or dual driver configurations, with PWM and dual driver versions to suit various applications. The driver boasts a 4.0 A sink/source peak output, fast 30 ns propagation delay, and transient immunity of >125kV/μs. 사용자 정의 가능한 데드 타임 및 디글리치 옵션은 신호 제어 및 노이즈 필터링에 유연성을 제공합니다. 또한 AIAG 규격 PPAP 문서 지원, IMDS 및 CAMDS 목록 지원, RoHS 규격 패키징을 지원하는 자동차 애플리케이션용 AEC-Q100 인증 옵션으로 제공됩니다. 자동차 또는 산업 환경에서 SI823H6AB-IS1R은 전력 전자 애플리케이션의 안전성, 정밀도 및 효율성을 보장합니다.

product-1269-1103

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제조업체 부품

SI823H6AB-AS1

SI823H6AB-AS1R

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SI823H6AB-IS1R

설명

DGTL ISO GATE DVR

DGTL ISO GATE DVR

DGTL ISO 게이트 DVR

DGTL ISO 게이트 DVR

재고

30000

30000

30000

30000

제품상태

활동적인

활동적인

활동적인

활동적인

기술

용량성 결합

용량성 결합

용량성 결합

용량성 결합

채널 수

2

2

2

2

전압 절연

2,500Vrms

2,500Vrms

2,500Vrms

2,500Vrms

공통 모드 과도 내성(최소)

125kV/us

125kV/us

125kV/us

125kV/us

전파 지연 tpLH/tpHL(최대)

30ns, 58ns

30ns, 58ns

30ns, 58ns

30ns, 58ns

전류 - 출력 높음, 낮음

4A, 4A

4A, 4A

4A, 4A

4A, 4A

전압 - 공급

6V ~ 30V

6V ~ 30V

6V ~ 30V

6V ~ 30V

작동 온도

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

패키지/케이스

SOP16 (영어)

SOP16 (영어)

SOP16 (영어)

SOP16 (영어)

패키지

테이프 및 릴(TR)

테이프 및 릴(TR)

테이프 및 릴(TR)

테이프 및 릴(TR)

 

산업용 애플리케이션:

 

• 전력 공급 시스템

• 모터 제어 시스템

• 절연형 DC-DC 전원 공급 장치

• 조명 제어 시스템

• 태양광 및 산업용 인버터

 

자동차 애플리케이션:

 

• 온보드 충전기

• 배터리 관리 시스템

• 충전소

• 트랙션 인버터

• 하이브리드 전기자동차

• 배터리 전기자동차

 

일반적인 설명:

 

Si823Hx는 고전력 애플리케이션을 위해 2개의 절연 게이트 드라이버를 단일 패키지로 결합합니다. Si823Hx에는 독립 또는 하이사이드/로우사이드 출력을 갖춘 단일 또는 이중 제어 입력 장치가 포함되어 있습니다. 이 드라이버는 3.0 – 5.5V 입력 VDD 및 30V의 최대 드라이브 공급 전압으로 작동할 수 있습니다.

 

Si823Hx는 다양한 스위치 전력 및 모터 제어 애플리케이션에 사용되는 전력 MOSFET 및 IGBT를 구동하는 데 이상적입니다. 이 드라이버는 Skyworks의 독점 실리콘 절연 기술을 활용하여 1분 절연 전압에 대해 최대 5kVRMS를 지원합니다. 이 기술을 사용하면 높은 CMTI(125kV/μs), 낮은 전파 지연 및 스큐, 온도 및 사용 기간에 따른 변화가 적고 부품 간 일치가 낮습니다.

 

출력단의 고유한 아키텍처에는 더 빠른 켜기 시간을 지원하기 위해 부하 전원 스위치의 밀러 고원 영역에서 더 높은 풀업 기능을 제공하는 부스터 장치가 있습니다. 또한 이 드라이버 제품군은 과열 보호, 출력 UVLO(저전압 잠금) 오류 감지, 데드 타임 프로그래밍 기능, 입력측 전력 손실 시 기본적으로 낮은 오류 방지 드라이버와 같은 몇 가지 고유한 기능을 제공합니다. Si823Hx 제품군은 광 결합 게이트 드라이버에 비해 더 긴 서비스 수명과 훨씬 더 높은 신뢰성을 제공합니다.

 

자동차 등급을 사용할 수 있습니다. 이러한 제품은 제조 공정의 모든 단계에서 자동차 관련 흐름을 사용하여 제작되어 자동차 애플리케이션에 필요한 견고성과 낮은 결함성을 보장합니다.

인기 탭: si823h6ab-is1r, 중국 si823h6ab-is1r 제조업체, 공급업체

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