SI8235AD-C-ISR

SI8235AD-C-ISR

SI8235AD-C-ISR은 현대 전력 전자 애플리케이션의 다양한 요구 사항을 충족할 수 있는 강력하고 다재다능하며 견고한 절연 게이트 드라이버입니다. 탁월한 절연, 전류 처리 기능, 전자기 내성 및 보호 기능을 갖춘 이 제품은 설계의 신뢰성과 성능을 추구하는 엔지니어에게 탁월한 선택입니다.
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설명

기술적인 매개 변수

SI8235AD-C-ISR은 최대 5kVRMS 입력-출력 절연, 인상적인 피크 출력 전류 처리 기능(0.5A 또는 4.0A)을 제공하는 절연 게이트 드라이버입니다. 높은 전자기 내성, 낮은 전파 지연 및 다양한 제어 옵션을 제공합니다. 이 제품은 중첩 방지 및 프로그래밍 가능한 데드 타임 기능을 갖추고 있어 전력 전자 애플리케이션에 신뢰할 수 있는 선택입니다. 이 게이트 드라이버는 AEC-Q100 인증을 받았으며 넓은 온도 범위(-40~+125도)에서 작동하고 SOIC-16 와이드 바디, SOIC를 포함한 RoHS 준수 패키지로 제공됩니다. -16 좁은 몸체 및 LGA-14. 탁월한 절연, 전류 처리 기능 및 보호 기능 덕분에 자동차 및 산업 시스템과 같은 고신뢰성 애플리케이션을 위한 강력한 선택이 됩니다.

product-1269-1103

관련 상품:

 

제조업체 부품

SI8235AD-C-AS

SI8235AD-C-ASR

SI8235AD-C-IS

SI8235AD-C-ISR

설명

DGTL ISO GATE DVR

DGTL ISO GATE DVR

DGTL ISO GATE DVR

DGTL ISO GATE DVR

재고

30000

30000

30000

30000

제품상태

활동적인

활동적인

활동적인

활동적인

기술

용량성 결합

용량성 결합

용량성 결합

용량성 결합

채널 수

2

2

2

2

전압 절연

5000Vrms

5000Vrms

5000Vrms

5000Vrms

공통 모드 과도 내성(최소)

20kV/us

20kV/us

20kV/us

20kV/us

전파 지연 tpLH/tpHL(최대)

60ns, 60ns

60ns, 60ns

60ns, 60ns

60ns, 60ns

전류 - 출력 높음, 낮음

2A, 4A

2A, 4A

2A, 4A

2A, 4A

전압 - 공급

6.5V ~ 24V

6.5V ~ 24V

6.5V ~ 24V

6.5V ~ 24V

작동 온도

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

패키지/케이스

WSOP16

WSOP16

WSOP16

WSOP16

패키지

테이프 및 릴(TR)

테이프 및 릴(TR)

테이프 및 릴(TR)

테이프 및 릴(TR)

 

신청:

 

·전력 전달 시스템

·모터 제어 시스템

·절연형 DC-DC 전원 공급 장치

·조명제어 시스템

·플라즈마 디스플레이

·태양광 및 산업용 인버터

 

설명:

 

Si823x 절연 드라이버 제품군은 두 개의 독립적인 절연 드라이버를 단일 패키지로 결합합니다. Si8230/1/3/4는 하이 측/로우 측 드라이버이고 Si8232/5/6/7/8은 듀얼 드라이버입니다. 피크 출력 전류가 0.5A(Si8230/1/2/7) 및 4.0A(Si8233/4/5/6/8)인 버전을 사용할 수 있습니다. 모든 드라이버는 최대 24V의 공급 전압으로 작동합니다.

 

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >개별 제어 입력(Si8230/2/3/5/6/7/8) 또는 PWM 입력(Si8231/4) 구성에서 400mV 히스테리시스를 사용할 수 있습니다. 높은 통합성, 낮은 전파 지연, 작은 설치 크기, 유연성 및 비용 효율성 덕분에 Si823x 제품군은 광범위한 절연 MOSFET/IGBT 게이트 드라이브 애플리케이션에 이상적입니다.

인기 탭: si8235ad-c-isr, 중국 si8235ad-c-isr 제조업체, 공급업체

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