SI8232BB-B-IS1R

SI8232BB-B-IS1R은 뛰어난 기능을 제공하는 획기적인 이중 절연 게이트 드라이버입니다. 최대 5VRMS 입력-출력 절연, 1500 VDC 피크 드라이버-드라이버 차동 전압, 다양한 HS/LS 및 듀얼 드라이버 버전을 통해 탁월한 유연성을 제공합니다. 최대 8MHz에서 작동하며 0.5A(Si8230/1/2/7) 또는 0.4A(Si8233/4/5/6/8)의 피크 출력을 지원하여 고주파수 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. 강력한 전자기 내성, 60ns의 빠른 전파 지연, 45kV/ps를 초과하는 과도 내성을 통해 정밀도와 신뢰성을 보장합니다. AEC-Q100 인증은 자동차 등급의 신뢰성을 입증하며, -40 ~ +125 등급의 넓은 작동 범위로 인해 다양한 환경에 적응할 수 있습니다.

·전력공급시스템n

·모터 제어 시스템 n

·절연형 dc-dc 전원 공급 장치 n

·조명제어시스템 n

·플라즈마 디스플레이 n

·태양광 및 산업용 인버터

Si823x 절연 드라이버 제품군은 두 개의 독립적인 절연 드라이버를 단일 패키지로 결합합니다. Si8230/1/3/4는 하이 측/로우 측 드라이버이고 Si8232/5/6/7/8은 듀얼 드라이버입니다. 피크 출력 전류가 0.5A(Si8230/1/2/7) 및 4.0A(Si8233/4/5/6/8)인 버전을 사용할 수 있습니다. 모든 드라이버는 최대 24V의 공급 전압으로 작동합니다.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >개별 제어 입력(Si8230/2/3/5/6/7/8) 또는 PWM 입력(Si8231/4) 구성에서 400mV 히스테리시스를 사용할 수 있습니다. 높은 통합성, 낮은 전파 지연, 작은 설치 크기, 유연성 및 비용 효율성 덕분에 Si823x 제품군은 광범위한 절연 MOSFET/IGBT 게이트 드라이브 애플리케이션에 이상적입니다.

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